瑞薩電子推出的下一代磁阻隨機存取存儲器 (MRAM) 利用一種稱為垂直磁隧道結 STT（自旋轉移矩）的專有技術，其非易失性存儲性能優于其他同類產品，具有數據保持時間長、串行和并行接口速度快等特點。 瑞薩電子的 MRAM具有多種存儲密度，能在較高的溫度下工作，適合許多應用場景，例如需要快速備份檢索數據的工廠自動化設備、需要長期存儲數據的醫療數據單元等。