富士通半導體128K串行接口FRAM MB85RS128B

富士通FRAM（鐵電RAM）是新一代非易失性存儲器，性能優于 E²PROM 和閃存等現有存儲器，功耗更低，速度更快和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的，但在ram等其他方面運行。這種突破性的存儲介質用于各種應用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲器的應用。富士通代理英尚微介紹富士通半導體128K串行接口FRAM MB85RS128B。
 
■描述
MB85RS128B是一款16,384字×8位配置的FRAM（鐵電隨機存取存儲器）芯片，采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元。MB85RS128B采用串行外設接口（SPI）。MB85RS128B能夠在不使用備用電池的情況下保留數據，這是SRAM所需要的。
 
MB85RS128B采用的存儲單元可進行10¹²次讀寫操作，相比Flash存儲器和E²PROM支持的讀寫操作次數有顯著提升。MB85RS128B不需要像Flash存儲器或E²PROM那樣長時間寫入數據，并且MB85RS128B不需要等待時間。
 
■特點
•位配置：16,384字×8位
•SPI對應于SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
•工作頻率：除READ33MHz(Max)READ命令以外的所有命令25MHz(Max)
•高耐久性：10¹²次/字節
•數據保留：10年(+85℃)、95年(+55℃)、超過200年(+35℃)
•工作電源電壓：2.7V至3.6V
•低功耗：工作電源電流6mA(Typ@33MHz)待機電流9μA(Typ)
•工作環境溫度范圍：−40℃至+85℃
•封裝：8針塑料SOP(FPT-8P-M02)符合RoHS
 
■引腳分配
   
■串行外設接口(SPI)
富士通鐵電存儲器MB85RS128B作為SPI的從機工作。使用配備SPI端口的微控制器可以連接2個以上的設備。通過使用沒有配備SPI端口的微控制器，SI和SO可以通過總線連接使用。


本文關鍵詞： 串行接口FRAM  FRAM

相關文章：富士通FRAM實現低成本通用智能表計方案

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。