國(guó)產(chǎn)并口PSRAM存儲(chǔ)芯片EMI164NA16LM

EMI164NA16LM該設(shè)備是一個(gè)集成的存儲(chǔ)器設(shè)備，其中包含64Mbit靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，使用自刷新DRAM陣列由16位組織為4M。模具具有單獨(dú)的電源軌，VCCQ和VSSQ，用于從設(shè)備核心的單獨(dú)電源運(yùn)行。
 
特征
•電源
-VCC和VCCQ電壓：3.0V（2.7V?3.6V）
•配置：64MB（4MBX16）
•讀取速度
-異步讀訪問(wèn)：70ns
•低功耗
-異步操作：<30mA
-待機(jī)電流：<350UA（最大值）
•低功耗功能
-片上溫度補(bǔ)償自刷新（TCSR）
•工作溫度范圍：-40°C?+85°C（工業(yè)）
•包裝：48 TFBGA（6.0x7.0mm）
 
引腳封裝

 
 
EMI164NA16LM該設(shè)備是67,108,864位pSRAM，使用DRAM型存儲(chǔ)器單元，但該器件具有無(wú)刷新操作和極端低功耗技術(shù)。接口與低功耗異步類型SRAM兼容。該設(shè)備組織為4,194,304字x16位。

   
功能描述
64MB設(shè)備包含67,108,864位DRAM核心，組織為16位的4,194,304個(gè)地址。該設(shè)備包括行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，在其他LOW Pexer SRAM產(chǎn)品上找到的異步內(nèi)存接口

   
1.當(dāng)UB＃和LB＃處于選擇模式（低）時(shí)，DQ0?DQ15受到如圖所示的影響。
當(dāng)僅LB＃處于選擇模式時(shí)，DQ0?DQ7受到如圖所示的影響。只有UB＃處于選擇模式時(shí)，DQ8?DQ15會(huì)受到如圖所示的影響。
2.當(dāng)設(shè)備處于待機(jī)模式時(shí)，控制輸入（We＃，OE＃），地址輸入和數(shù)據(jù)輸入/輸出在內(nèi)部與任何外部影響分離。
3.當(dāng)我們＃處于活動(dòng)狀態(tài)時(shí)，OE＃INPUT在內(nèi)部禁用，對(duì)I/O沒(méi)有影響。
4.只要更改地址，設(shè)備將在此模式下消耗有效電源。
5.VIN=VCCQ或0V，所有器件引腳都是靜態(tài)（未切換的），以實(shí)現(xiàn)備用電流。
 
關(guān)于EMI
安徽偉凌創(chuàng)芯微電子有限責(zé)任公司（簡(jiǎn)稱EMI）位于合肥市高新區(qū)，是一家以市場(chǎng)為導(dǎo)向的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司。專注于利基市場(chǎng)專用芯片/小型藍(lán)牙SOC芯片/存儲(chǔ)芯片SRAM/PSRAM及整體解決方案，第一代產(chǎn)品涉及千兆/萬(wàn)兆USB網(wǎng)口芯片以及音視頻接口芯片。提供創(chuàng)新、高品質(zhì)、高性價(jià)比、 供貨持續(xù)穩(wěn)定的芯片，并通過(guò)提供軟硬件Turnkey solution，降低客戶研發(fā)難度，縮短客戶量產(chǎn)時(shí)程。產(chǎn)品領(lǐng)域涵蓋智能感知、網(wǎng)絡(luò)可視化、信息化、信息安全、大數(shù)據(jù)分析、智能語(yǔ)音、應(yīng)用展現(xiàn)、特種通信和智能建筑等。EMI代理英尚微電子支持提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。


本文關(guān)鍵詞： NOR Flash

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