256Mb自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM-EMD3D256M DDR3

EMD3D256M DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM是一種容量為256Mb（32Mb x 8、16Mb x 16）DDR3的非易失性存儲(chǔ)器，可在DDR3速度下提供非易失性和高耐用性。能夠以高達(dá) 1333MT/Sec/Pin的速率進(jìn)行DDR3操作。符合所有DDR3 DRAM功能，包括設(shè)備端接 (ODT) 和內(nèi)部ZQ校準(zhǔn)，但具有數(shù)據(jù)持久性和極高的寫(xiě)入周期耐久性的優(yōu)勢(shì)。采用Spin-Torque MRAM 技術(shù)，無(wú)需單元刷新，極大地簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并降低了開(kāi)銷(xiāo)。
 
Everspin自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM所有控制和地址輸入都與一對(duì)外部提供的差分時(shí)鐘同步，輸入鎖存在時(shí)鐘交叉點(diǎn)。I/O與一對(duì)雙向選通脈沖（DQS、DQS）同步。采用 RAS/CAS 多路復(fù)用方案，工作電壓為 1.5V。更多產(chǎn)品詳情請(qǐng)洽英尚國(guó)際。
 
DDR3 STT-MRAM是一種高速自旋扭矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。每當(dāng)設(shè)備因任何原因斷電時(shí)，關(guān)閉/預(yù)充電銀行中的所有數(shù)據(jù)都會(huì)保留在內(nèi)存中。在某些情況下，命令時(shí)間會(huì)有所不同。DDR3 標(biāo)準(zhǔn)適用于高于256Mb的密度，從而導(dǎo)致尋址和頁(yè)面大小不同。


本文關(guān)鍵詞：STT-MRAM,Everspin

上一篇文章：雙電源8位I/O并行接口MRAM芯片MR256D08BMA45R

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