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    DRAM明年漲勢(shì)依舊強(qiáng)勁

    2018-01-02 16:44:25

    有研究表明未來(lái)的DRAM漲勢(shì)還將不斷向上提升,據(jù)悉三星將于2018年第1季價(jià)格再上調(diào)3%至5%。服務(wù)器市場(chǎng)仍是DRAM漲勢(shì)最大的成長(zhǎng)來(lái)源。
     
    美光公布了2018財(cái)年(2017年9月1日起)一季度財(cái)報(bào),一季度截至11月底營(yíng)收68億美元,年增71%(季增10.8%)。毛利率從50.7%提升至55.1%,主要是因?yàn)镈RAM與NAND閃存儲(chǔ)器價(jià)格上漲。據(jù)美光CEO Sanjay Mehrotra表示,包含服務(wù)器、移動(dòng)與SSD硬盤應(yīng)用的營(yíng)收季增率均達(dá)兩位數(shù)。第二季度營(yíng)收預(yù)計(jì)將達(dá)到68~72億美元。
     
    Sanjay Mehrotra表示,服務(wù)器市場(chǎng)仍將是未來(lái)數(shù)年的最大成長(zhǎng)來(lái)源。此外,目前規(guī)模還比較小的無(wú)人駕駛將會(huì)是額外的快速成長(zhǎng)領(lǐng)域、與來(lái)自云端的強(qiáng)勁需求形成互補(bǔ)。對(duì)于近來(lái)關(guān)于DRAM產(chǎn)業(yè)周期循環(huán)本質(zhì)是不是已發(fā)生改變的疑問,他表示當(dāng)前需求的驅(qū)動(dòng)力包括數(shù)據(jù)中心、GPU、云端運(yùn)算、機(jī)器學(xué)習(xí)等非常分散,和過(guò)去完全不同。而人工智能催生的需求才正要開始而已,現(xiàn)在看到的只是滄海一粟,美光的存儲(chǔ)器與儲(chǔ)存解決方案正協(xié)助推動(dòng)機(jī)器學(xué)習(xí)、人工智能和自動(dòng)駕駛等顛覆性趨勢(shì)。
     
    根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)研究指出,受到產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型、智能終端裝置普及率增加的影響,近年來(lái)絕大部分的服務(wù)都是通過(guò)服務(wù)器來(lái)做統(tǒng)合,特別是需要龐大數(shù)據(jù)進(jìn)行運(yùn)算與訓(xùn)練的服務(wù),甚至是虛擬化平臺(tái)以及云端存儲(chǔ)的帶動(dòng),對(duì)服務(wù)器需求如雨后春筍般,其中,數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器需求將成為整體服務(wù)器市場(chǎng)出貨成長(zhǎng)的關(guān)鍵,預(yù)估2018年全球服務(wù)器出貨量將成長(zhǎng)5.53%。
     
    因此DRAM的漲勢(shì)預(yù)計(jì)暫時(shí)不會(huì)消停。三星將于2018年第1季價(jià)格再上調(diào)3%至5%。 而SK海力士也將調(diào)漲約5%。 除此之外,有部分供應(yīng)鏈透露,2018年第2季的價(jià)格恐也將不樂觀,價(jià)格將持續(xù)上漲5%以上。在市場(chǎng)需求太強(qiáng)勁的情況下,此波DRAM價(jià)格從2016年下半年以來(lái),每季都呈現(xiàn)上漲的態(tài)勢(shì)。如果加上2018年第1季持續(xù)漲價(jià),報(bào)價(jià)已經(jīng)連續(xù)7季上漲,堪稱DRAM史上漲價(jià)時(shí)間最長(zhǎng)的一次。
     
    還有人認(rèn)為,造成此波DRAM供不應(yīng)求的原因,除了來(lái)自車用、人工智能、云端服務(wù)器、物聯(lián)網(wǎng)、筆記本電腦以及行動(dòng)設(shè)備等需求瞬間大增,還由于主要內(nèi)存廠現(xiàn)在大多全力集中發(fā)展3D NAND閃存,壓縮DRAM產(chǎn)能,在市場(chǎng)需求大增,廠商供給增加不足的情況下,市場(chǎng)供需嚴(yán)重失衡。
     
    南亞科總經(jīng)理李培瑛表示,數(shù)據(jù)中心服務(wù)器從今年起取代智能手機(jī)成為DRAM產(chǎn)業(yè)最為強(qiáng)勁的成長(zhǎng)動(dòng)能來(lái)源。李培瑛說(shuō),未來(lái)數(shù)年在智能汽車等AI應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器將成為DRAM需求最重要的成長(zhǎng)動(dòng)力。


    本文關(guān)鍵詞:DRAM    NAND閃存

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