中國內存嚴重落后于世界

最近測評紫光的DDR3顆粒整體表現還不錯，也有部分媒體寫的很夸張，似乎紫光DDR3內存要碾壓金士頓、芝奇、三星了，但是真正的情況是紫光的DDR3內存也是剛起步而已，現在網上買的紫光顆粒DDR3內存條主要是經銷商所為，數量并不多，店鋪顯示的庫存只有60多條而已。

　
但是這DDR3內存也不是紫光自主研發的，生產單位西安紫光國芯其實是買來的，一開始它是英飛凌2003年在西安成立的存儲芯片部門，2006年英飛凌半導體業務拆分成立了奇夢達科技，2009年他們被國內的浪潮公司收購，重組成了西安華芯半導體，2015年紫光從另一個清華系公司同方手中收購了同方國芯的36%的股權，成立了紫光國芯，而西安紫光國芯就是他們從浪潮手中買來的，現在是子公司，他們的DDR3內存實際上也是奇夢達公司的遺產。

　　
雖然DDR3內存現在還沒有遭到淘汰，但是它確實不是現在桌面、服務器以及智能設備的主流了，所以更多人傾向于期待紫光國產DDR4內存，不過早前紫光針對這事辟謠過，表示現在還沒有量產DDR4內存，后來我們得到的消息說紫光預計在今年下半年推出DDR4內存顆粒，但是具體的情況就一無所知了，容量、價格等等關鍵信息還是未知數。

　　
不僅是主流內存量產進度落后于國際，國產內存現在還有技術落伍的風險，至今為止紫光的DDR3顆粒制程工藝也沒有對外公布，但是由于奇夢達已經是10多年前的事了，西安紫光國芯的DRAM工藝至少也是30nm及以上級別的了，而現在主流的內存工藝早就是20nm級別了，三星2016年就量產18nm工藝了，下一步就是17nm工藝了。

國產內存確切的制程工藝一直是個謎，但是我們可以從蛛絲馬跡下驗證，去年兆易創新公司宣布進軍DRAM內存，他們與合肥市政府控股投資公司簽署了合作協議，項目預算高達180億元，目標是在2018年底研發出19nm工藝的內存芯片。如果研發成功了，兆易創新的內存工藝其實還是挺先進的，盡管還是比不過三星，但至少也是主流級別的了，只不過兆易創新的目標是良率不低于10%，這個標準并不是量產水平的，10%的良率只可能是技術實驗，這說明量產上市暫時還實現不了。

　　
別說DRAM內存了，國內的NAND閃存工藝還是非常落后的，紫光在武漢的長江存儲公司現在研發的只是32層堆棧的閃存，核心容量不過64Gb，這比目前主流64層堆棧、核心容量256Gb甚至512Gb的3D NAND落后兩年時間。

而兆易創新的NAND閃存量產水平才是38nm工藝，24nm級別的還在研發中，目前還是2D NAND閃存，而三星、東芝早就量產15、16nm工藝的2D NAND閃存了， 2D閃存是他們正在淘汰的技術

國產內存基礎這么差，技術差距這么大，難道我們要放棄發展這個領域嗎?這當然是不可能的，我國不止存儲芯片領域落后于他人，以前大家羨慕日本、歐洲的高鐵，現在中國的高鐵里程遠超其他國家，內存產業也會如此，中國這么大的市場完全依賴進口是不可行的，在國產內存這個問題上，中國擁有全球最大的市場，而且現在有大筆投資，我們的方向是正確的，現在缺少的是理性的發展策略。

 

本文關鍵詞：NAND閃存     DDR3

相關文章：全球內存產業一家獨大 高度壟斷

---

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。