Cypress同步高速SRAM存儲器

Cypress是同步高速SRAM市場的領(lǐng)導者，累計發(fā)貨量超過27億個，交貨周期為六周或更短，準時交貨率達到99％或更高，而傳統(tǒng)產(chǎn)品支持長達20年。賽普拉斯是網(wǎng)絡，汽車，消費電子，工業(yè)，醫(yī)療，航空航天和國防等多個市場領(lǐng)域客戶的首選SRAM供應商。CYPRESS代理英尚微電子為用戶提供技術(shù)支持及產(chǎn)品應用解決方案等產(chǎn)品一體系服務。
 
賽普拉斯擁有業(yè)界最廣泛的Sync SRAM產(chǎn)品組合，提供2300多種不同的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在性能和可靠性方面排名第一，具有業(yè)界領(lǐng)先的隨機交易速率（RTR高達2132MT/s），F(xiàn)IT速率（小于0.01FIT/Mb）和創(chuàng)新的新功能，例如片上錯誤校正碼（ECC））。賽普拉斯同步高速SRAM產(chǎn)品適用于運行關(guān)鍵任務應用的系統(tǒng)，例如交換機和路由器，雷達和信號處理，測試設備，汽車和軍工。
 
隨機交易率（RTR）
隨機事務速率（RTR）是內(nèi)存每秒可執(zhí)行的完全隨機讀取或?qū)懭胧聞盏臄?shù)量。它以MT/s或每秒大事務為單位。在內(nèi)存無法預測的高性能應用程序（例如網(wǎng)絡）中，RTR是關(guān)鍵指標。
 
QDR的優(yōu)勢
QDR SRAM體系結(jié)構(gòu)提供了網(wǎng)絡和其他高性能應用程序所需的隨機存儲器訪問功能。在這些應用程序中，內(nèi)存是實現(xiàn)更高系統(tǒng)性能的主要瓶頸。例如在聯(lián)網(wǎng)應用中，每個數(shù)據(jù)包都需要幾個隨機存儲器事務。因此系統(tǒng)的數(shù)據(jù)包處理速率取決于系統(tǒng)訪問內(nèi)存的速度。賽普拉斯的QDR SRAM提供了打破系統(tǒng)瓶頸所必需的RTR。
 
其他存儲技術(shù)已針對高密度進行了優(yōu)化。盡管這些內(nèi)存作為主內(nèi)存在計算應用程序中表現(xiàn)良好，但它們不能滿足要求高RTR的高性能應用程序的需求。
 
另一方面QDR SRAM是專為最大RTR設計的。QDR SRAM允許在每個時鐘周期訪問任意兩個存儲器位置，而性能決不取決于上一個時鐘周期訪問哪個存儲器位置。使用QDR SRAM，可以保證RTR。
 
賽普拉斯的QDR-IV SRAM可提供高達2132MT/s的RTR。這一性能水平對于啟用下一代高性能系統(tǒng)至關(guān)重要。
 
賽普拉斯QDR SRAM提供完全隨機的存儲器訪問
 
 

特性	標準同步	無BL	QDR-II	QDR-II+	QDRII+Xtreme	第四版
最大隨機交易率	250MT/秒	250MT/秒	666噸/秒	666噸/秒	900MT/秒	2132MT/秒
最大帶寬	18Gbps	18Gbps	47.9Gbps的	79.2Gbps	91.1Gbps的	153.3Gbps
密度	2-72Mb	4-72Mb	18-144Mb	18-144Mb	36-72Mb	72-144Mb
片上糾錯碼（ECC）	是	是	否	否	否	是
核心電壓	2.5V，3.3V	2.5V，3.3V	1.8伏	1.8伏	1.8伏	1.3伏
I/O電壓標準	LVTTL33，LVTTL25		HSTL15，HSTL18		HSTL15	HSTL/SSTL12，POD12
突發(fā)長度	4	4	2,4	2,4	2,4	2
模具終止時	否	否	否	是	是	是
資料寬度	X18，X32X36，X72	X18，X36，X72	X8X9，X18，X36	X9，X18，X36	X18，X36	X18，X36
讀取延遲	1,2周期	1,2周期	1.5周期	2.0、2.5個周期	2.5周期	5、8個循環(huán)
溫度等級	Industrial,商用	Industrial,商用	Industrial,商用	Industrial,商用	Industrial,商用	Industrial,商用

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