中國在3D NAND存儲器存儲技術取得階躍性的突破和創(chuàng)新

      近日，中國科學院微電子研究所雨長江存儲科技有限責任公司（下文簡稱“長江存儲”）共同研發(fā)的3D NAND存儲器研發(fā)項目獲得新進展。據(jù)長江存儲CEO楊士寧講解，32層3D NAND芯片成功通過電學特性等各項指標測試，達到預期標準。    
      這款存儲器芯片由微電子所三維存儲器研發(fā)中心與長江存儲聯(lián)合開發(fā)，在資深技術總監(jiān)霍宗亮的率領下，成功達到了工藝器件和電路設計的整套技術驗證，向產(chǎn)業(yè)化道路邁出具有重要意義的關鍵一步。
在市場需求的影響下，存儲芯片成為了電子市場份額最大的集成電路產(chǎn)品。我國在存儲器芯片領域長期面臨市場需求量大但技術缺乏只能依靠進口的困境，當務之急就是開發(fā)大容量存儲技術的研究和相關產(chǎn)品研制。傳統(tǒng)平面型NAND存儲器在降低成本的同時面臨單元間串擾加劇和單字位成本增加等技術難題。探索存儲技術階躍性的突破和創(chuàng)新，是發(fā)展下一代存儲器的主流思路。
      3D NAND是革新性的半導體存儲技術，通過增加存儲疊層實現(xiàn)存儲密度增長，從而增加了存儲技術的發(fā)展空間，但3D NAND結構的高度復雜性給工藝制造帶來全新的挑戰(zhàn)。經(jīng)過長時間的不懈努力，工藝團隊攻克了高深寬比刻蝕、疊層薄膜沉積、高選擇比刻蝕、金屬柵形成以及雙曝光金屬線等關鍵技術難點，為實現(xiàn)多層堆疊結構的3D NAND陣列打下堅實基礎。
                                               
      在電路設計方面，堆疊三維陣列的集成研發(fā)面臨比平面型NAND更復雜的技術問題，需要結合三維器件及陣列結構特點進行分析和優(yōu)化。設計團隊對三維存儲結構進行建模，采用根據(jù)層數(shù)可調制的編程、讀取電壓配置，補償了器件特性隨陣列物理結構的分布差異，降低了單元串擾影響。并且，應用了諸多創(chuàng)新性的先進設計技術，保證了芯片達到產(chǎn)品級的功能和性能指標。
      3D NAND存儲器芯片研發(fā)系列工作得到了國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、紫光控股、湖北省國芯投資、湖北省科投的大力支持。

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