偉凌創芯國產SRAM低功耗芯片EMI502NF08VM-08I

SRAM是一種具有靜止存取功能的內存,不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據，就是高速緩存或者說是二級緩存。SRAM靠寄存器來存儲信息.
 
SRAM的速度非常快，能以20ns或更快的速度工作。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。靜態存儲SRAM芯片包含業界多樣的異步低功耗SRAM。快速SRAM是諸如交換機和路由器，IP電話，測試設備和汽車電子產品之類的網絡應用的理想選擇。
 
我司介紹一款國產偉凌創芯的SRAM芯片，EMI502NF08VM-08I是2Mbit的高速靜態隨機存取存儲器，位寬256Kbx8bit。該器件采用先進的CMOS工藝，基于6-TR的單元技術制造，專為高速電路技術而設計。它是特別適用于高密度高速系統應用。EMI502NF08VM-08I使用8條公共輸入和輸出線，并具有一個輸出使能引腳，其運行速度快于讀取周期的地址訪問時間。而EMI502NF08VM-08I允許通過數據字節控制(UB,LB)訪問上下字節。
 
偉凌創芯EMI502NF08VM-08I快速訪問時間8ns，電壓為3.3V，具備TTL兼容輸入和輸出，完全靜態操作，無需時鐘或刷新，三態輸出。采用標準的44TSOP2封裝引腳，可在商業和工業溫度范圍內運行。英尚微電子可提供樣品測試及必要的FAE技術支持。


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