MRAM獨特功能可以替換現有內存

在所有不斷涌現的存儲器中，非易失性存儲器MRAM似乎最有可能被廣泛采用。而這種情況是否會很快發生，既取決于制造工藝的進步，也取決于支持分立和嵌入式MRAM器件技術的生態系統的改善。
 
目前MRAM是在單獨的晶圓廠作為“后端生產線”（BEOL）工藝來生產的，需要一些傳統CMOS制造工藝沒有使用的新設備，諸如離子束蝕刻和新的濺射靶之類。要想降低嵌入式MRAM產品的成本，其制造就需要進入CMOS晶圓廠，成為常規器件生產的一部分。
 
除了將MRAM進一步納入制造鏈外，它和其它半導體制造工藝一樣，質量控制和產量提高將是持續的挑戰和機遇，而所有大型半導體代工廠都將MRAM內存作為嵌入式產品的一個選項，這一點非常重要。通過將MRAM集成到其嵌入式產品中，并將MRAM作為常規器件引入大批量生產流程，產量和質量問題將會得到解決，專門用于生產MRAM的獨有工具也將變得更加常見，并更多地嵌入到代工生產中。這樣就能降低成本，并增加可用性。
 
MRAM獨特功能可以替換現有內存，比如SRAM，或者共同創建新的用例。正在設法使MRAM盡可能地和SRAM相像，二者的價值定位相同，但是在相同的占位面積內，MRAM能提供三到四倍多的內存，而且不會有SRAM帶來的任何泄漏情況出現。然而，不斷改進材料非常重要，采用一種適用于任何磁隧道結的電路級方法，這種方法能讓其在耐久性方面得到重大改進，從而提高性能。
 
Everspin公司生產的MRAM有兩種類型——切換MRAM和STT MRAM。STT MRAM需要控制器啟用或FPGA，該公司也一直在通過其伙伴關系發展其生態系統。Everspin代理英尚國際有限公司可提供MRAM樣品測試及應用解決方案等產品服務。

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