SRAM與ROM和Flash Memory的區(qū)別

靜態(tài)SRAM不需要刷新，速度可以很快，比如，CPU內(nèi)部的cache，都是靜態(tài)RAM,缺點(diǎn)是內(nèi)存單元需要大量的晶體管，所以價(jià)格昂貴，容量小。SRAM靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器加電時(shí)，無(wú)需刷新，數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，一般不是行列地址復(fù)用。
 
SRAM它是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。靜態(tài)是指只要不掉電，存儲(chǔ)就存在SRAM中間的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。這與此同時(shí)。DRAM不同,DRAM需要定期刷新操作。
 
我們不應(yīng)將SRAM與ROM和Flash Memory混淆，因?yàn)镾RAM它是一種容易丟失的存儲(chǔ)器，只有在電源連續(xù)供應(yīng)時(shí)才能保持?jǐn)?shù)據(jù)。隨機(jī)訪問是指存儲(chǔ)器的內(nèi)容可以以任何順序訪問，無(wú)論之前訪問的位置如何。
 
SRAM每個(gè)晶體管都存儲(chǔ)在四個(gè)晶體管中，形成兩個(gè)交叉耦合反向器。存儲(chǔ)單元有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，通常為0和1。此外還需要兩個(gè)訪問晶體管來(lái)控制存儲(chǔ)單元在閱讀或?qū)懽鬟^程中的訪問。因此存儲(chǔ)位通常需要六個(gè)MOSFET。使電路結(jié)構(gòu)對(duì)稱SRAM訪問速度要快于DRAM。
 
SRAM比DRAM訪問速度快的另一個(gè)原因是SRAM所有地址位置都可以一次接收，而且DRAM使用行地址和列地址復(fù)用結(jié)構(gòu)。
 
SRAM不應(yīng)該與SDRAM相混淆,SDRAM代表同步DRAM,這與SRAM完全不同。
 
SRAM也不應(yīng)該與PSRAM相混淆，pSRAM是一種偽裝SRAM的DRAM。


本文關(guān)鍵詞：SRAM,DRAM,pSRAM

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