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    三星研發(fā)出運(yùn)算存儲(chǔ)MRAM

    2022-11-01 09:53:35

    三星半導(dǎo)體通過結(jié)構(gòu)創(chuàng)新,實(shí)現(xiàn)了基于MRAM的存儲(chǔ)內(nèi)運(yùn)算,進(jìn)一步拓展了三星下世代低功耗AI芯片技術(shù)。
     
    傳統(tǒng)的運(yùn)算體系中,存儲(chǔ)中的數(shù)據(jù)要轉(zhuǎn)移到處理芯片的數(shù)據(jù)運(yùn)算單元進(jìn)行處理,因此其對(duì)于頻寬、延遲的要求非常高。
     
    至于存儲(chǔ)內(nèi)運(yùn)算則是一種新的運(yùn)算模式,也可以當(dāng)作存儲(chǔ)與運(yùn)算一體化的表現(xiàn),也就是說,在存儲(chǔ)中同時(shí)執(zhí)行數(shù)據(jù)儲(chǔ)存、數(shù)據(jù)運(yùn)算處理,無需移動(dòng)數(shù)據(jù)。同時(shí)在存儲(chǔ)網(wǎng)路中的數(shù)據(jù)處理是以高度平行的方式執(zhí)行,因此提高性能的同時(shí),還能大大降低功耗。
     
    如果與其他存儲(chǔ)比較,MRAM在運(yùn)行速度、壽命、量產(chǎn)方面都有明顯優(yōu)勢(shì),功耗也遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)DRAM,關(guān)鍵是還具有非揮發(fā)的特點(diǎn),斷電也不會(huì)丟失數(shù)據(jù)。
     
    可是MRAM也有其缺點(diǎn),因?yàn)楹茈y用于存儲(chǔ)內(nèi)運(yùn)算,使得在標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)內(nèi)運(yùn)算架構(gòu)中無法發(fā)揮低功耗優(yōu)勢(shì)。為了克服這一點(diǎn),三星研究團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)了一種名為“電阻總和”的新型存儲(chǔ)內(nèi)運(yùn)算架構(gòu),取代“電流總和”架構(gòu),進(jìn)而成功開發(fā)了一種能演示存儲(chǔ)內(nèi)運(yùn)算架構(gòu)的MRAM陣列芯片,命名為“用于存儲(chǔ)內(nèi)運(yùn)算的磁阻式存儲(chǔ)交叉陣列”。
     
    目前來看,這一交叉陣列成功解決了單個(gè)MRAM小電阻問題,從而降低功耗,實(shí)現(xiàn)了基于MRAM的存儲(chǔ)內(nèi)運(yùn)算。按照三星研究,在執(zhí)行AI運(yùn)算時(shí),采用MRAM存儲(chǔ)內(nèi)運(yùn)算可以實(shí)現(xiàn)98%的筆跡辨識(shí)成功率、以及93%的人臉辨識(shí)準(zhǔn)確率。
     
    全球MRAM市場2021年至2026年的年復(fù)合成長率將達(dá)25%,并于2026年達(dá)到62億美元的規(guī)模。該市場的主要驅(qū)動(dòng)力是對(duì)穿戴式裝置的需求增加、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的高度采用、運(yùn)算技術(shù)的進(jìn)步、對(duì)更高存儲(chǔ)空間的需求以及縮短啟動(dòng)時(shí)間等因素。除了三星之外,Avalanche、CROCUS、Honeywell以及Everspin都是主要MRAM制造商。

    Everspin Technologies是一家開發(fā)和制造磁性RAM或磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)的公共半導(dǎo)體公司,其中包括獨(dú)立和嵌入式MRAM產(chǎn)品以及自旋扭矩MRAM(ST-MRAM)。Everspin Technologies提供Toggle MRAM,自旋轉(zhuǎn)矩MRAM,嵌入式MRAM,磁性傳感器以及航空和衛(wèi)星電子系統(tǒng),公司產(chǎn)品應(yīng)用于工業(yè),汽車,運(yùn)輸和企業(yè)存儲(chǔ)市場。
     
     
    本文關(guān)鍵詞: MRAM,Everspin

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