三星 3D NAND 快閃存儲器新廠上半年投產

        近日三星電子宣布，設立在首爾南方的新芯片廠施工進度順利，將如期于 2017 上半年投產。
        三星新存儲芯片廠于 2015 年動土，共投入 15．6 萬億韓元（約 144 億美元）建廠，為三星史上最大單一產線投資項目。據三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。
        新芯片廠主要用于生產高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器。快閃存儲器可取代傳統硬盤，并廣泛應用于智能手機、數碼相機與其他 USB 界面儲存設備。
        市調機構 DRAMeXchange 日前指出，三星穩坐去年第四季 NAND 快閃存儲器龍頭，受惠于供給吃緊、平均報價（ASP）飆升，三星 NAND 快閃存儲器當季報價增加 5％、單位出貨量季增 11－15％，推升營收成長近兩成（19．5％），市占率來到 37．1％。東芝同期間 NAND 存儲器市占率達 18．3％，暫居第二。Western Digital 緊追在后，僅差東芝 0．6 個百分點。

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