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    Lyontek來?xiàng)畲?/h1>

    2018-01-12 11:00:57

       來揚(yáng)科技股份有限公司( Lyontek Inc.) 專注于靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體 Asynchronous SRAM(Static Random Access Memory),包括 (Low power SRAM & High/Fast speed SRAM )、AB及D類音頻功率放大器 (ClassAB & ClassD Audio Amplifier ),嵌入式記憶體,多晶片封裝積體電路 MCP IC(Multi-Chip Package IC),音頻功率放大器 (Audio Amplifier), 系統(tǒng)整合于多晶片封裝 SiP(System in Package)之設(shè)計(jì)公司。
        深圳市英尚微電子有限公司是一家具有綜合競爭優(yōu)勢的電子元件產(chǎn)品供應(yīng)商及存儲(chǔ)方案技術(shù)提供商。自創(chuàng)立以來,公司一直致力于以代理國內(nèi)外著名品牌的集成電路器件,隨機(jī)記憶體產(chǎn)品作為公司的核心發(fā)展方向。
    Density Org. Part Number Power Supply Isb
    16Mb 2M × 8 LY61L20498A 3.3V 4.0mA(typ)
    16Mb 2M × 8 LY61L20498A 3.3V 4.0mA(typ)
    16Mb 2M × 8 LY61L20508A 3.3V 4.0mA(typ)
    16Mb 2M × 8 LY61L20508A 3.3V 4.0mA(typ)
    16Mb 1M × 16 LY61L102416A 1.8~3.3V 4.0mA(typ)
    16Mb 1M × 16 LY61L102416A 1.8~3.3V 4.0mA(typ)
    16Mb 1M × 16 LY61L102516A 3.3V 4.0mA(typ)
    8Mb 1M × 8 LY61L10248A 3.3V 3.0mA(typ)
    8Mb 1M × 8 LY61L10248A 3.3V 3.0mA(typ)
    8Mb 1M × 8 LY61L10268A 3.3V 3.0mA(typ)
    8Mb 512K × 16 LY61L51216A 3.3V 3.0mA(typ)
    8Mb 512K × 16 LY61L51216A 3.3V 3.0mA(typ)
    4Mb 512K × 8 LY615128 5V 1.0mA(typ)
    4Mb 512K × 8 LY61L5128 3.3V 0.5mA(typ)
    4Mb 512K × 8 LY61L5128 3.3V 0.5mA(typ)
    4Mb 512K × 8 LY61L5128 3.3V 0.5mA(typ)
    4Mb 512K × 8 LY61L5128 3.3V 0.5mA(typ)
    4Mb 512K × 8 LY61L5128 3.3V 12mA(typ)
    4Mb 512K × 8 LY61L5128A 3.3V 2mA(typ)
    4Mb 512K × 8 LY61L5128A 3.3V 2mA(typ)
    4Mb 512K × 8 LY61L5128 3.3V 20uA(typ)
    4Mb 256K × 16 LY6125616 5V 0.1mA(typ)
    4Mb 256K × 16 LY6125616 5V 0.1mA(typ)
    4Mb 256K × 16 LY6125616 5V 15mA(typ)
    4Mb 256K × 16 LY61L25616 3.3V 0.5mA(typ)
    4Mb 256K × 16 LY61L25616 3.3V 0.5mA(typ)
    4Mb 256K × 16 LY61L25616 3.3V 12mA(typ)
    4Mb 256K × 16 LY61L25616A 3.3V 2mA(typ)
    4Mb 256K × 16 LY61L25616A 3.3V 2mA(typ)
    4Mb 256K × 16 LY61L25616A 3.3V 2mA(typ)
    4Mb 256K × 16 LY61L25616A 3.3V 2mA(typ)
    4Mb 256K × 16 LY6125616 5V 20uA(typ)
    4Mb 256K × 16 LY61L25616 3.3V 20uA(typ)
    2Mb 256K × 8 LY612568 5V 1.0mA(typ)
    2Mb 256K × 8 LY61L2568A 3.3V 0.5mA(typ)
    2Mb 256K × 8 LY61L2568 3.3V 10uA(typ)
    2Mb 128K × 16 LY6112816 5V 1.0mA(typ)
    2Mb 128K × 16 LY61L12816A 3.3V 2mA(typ)
    2Mb 128K × 16 LY61L12816A 3.3V 2mA(typ)
    2Mb 128K × 16 LY6112816 5V 10uA(typ)
    2Mb 128K × 16 LY61L12816 3.3V 10uA(typ)
    1Mb 128K × 8 LY61L1288 3.3V 0.6mA(typ)
    1Mb 128K × 8 LY61L1288 3.3V 0.6mA(typ)
    1Mb 128K × 8 LY611024 5V 1.0mA(typ)
    1Mb 128K × 8 LY611024 5V 1.0mA(typ)
    1Mb 128K × 8 LY611024 5V 1.0mA(typ)
    1Mb 128K × 8 LY61L1024 3.3V 0.6mA(typ)
    1Mb 128K × 8 LY61L1024 3.3V 0.6mA(typ)
    1Mb 128K × 8 LY61L1024 3.3V 0.6mA(typ)
    1Mb 128K × 8 LY61L1024 3.3V 0.6mA(typ)
    1Mb 128K × 8 LY61L1024 3.3V 0.6mA(typ)
    1Mb 128K × 8 LY611024 5V 2uA(typ)
    1Mb 128K × 8 LY611024 5V 2uA(typ)
    1Mb 128K × 8 LY61L1024 3.3V 1uA(typ)
    1Mb 128K × 8 LY61L1024 3.3V 1uA(typ)
    1Mb 64K × 16 LY61L6416 3.3V 1uA(typ)
    1Mb 64K × 16 LY616416 5V 0.1mA(typ)
    1Mb 64K × 16 LY61L6416 3.3V 0.6mA(typ)
    1Mb 64K × 16 LY61L6416 3.3V 0.6mA(typ)
    1Mb 64K × 16 LY61L6416A 3.3V 2mA(typ)
    1Mb 64K × 16 LY61L6416A 3.3V 2mA(typ)
    1Mb 64K × 16 LY61L6416B 3.3V 1.5μA(typ)
    256Kb 32K × 8 LY61256 5V 0.5mA(typ)
    256Kb 32K × 8 LY61256 5V 0.5mA(typ)
    256Kb 32K × 8 LY61256 5V 0.5mA(typ)
    256Kb 32K × 8 LY61L256 3.3V 0.5mA(typ)
    256Kb 32K × 8 LY61L256 3.3V 0.5mA(typ)
    256Kb 32K × 8 LY61256 5V 2uA(typ)
    256Kb 32K × 8 LY61256 5V 2uA(typ)
    256Kb 32K × 8 LY61L256 3.3V 1uA(typ)
    256Kb 32K × 8 LY61L256 3.3V 1uA(typ)
    64Kb 8K × 8 LY6164 5V 1.0mA(typ)
    64Kb 8K × 8 LY6164 5V 1.0mA(typ)
    64Kb 8K × 8 LY6164 5V 1.0mA(typ)

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    ISSI異步快速SRAM器件


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