everspin 并行MRAM芯片MR4A16BMA35R

Everspin MR4A16BMA35R容量：16Mb數據結構：1Mb*16總線速度：35ns工作電壓：3.3V工作溫度：C,M（-0~+70攝氏度）16位并行總線接口，數據保持期長達20年以上而不會丟失，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護，以防止在非工作電壓期間寫入。這款并行mram器件能夠在商業級（0至+70 °C）、工業級（-40至+85 °C）與擴展級（-40至+105 °C）溫度范圍內工作，并在整個溫度范圍內保持高度可靠的數據存儲能力。MR4A16B采用48引腳球柵陣列 (BGA) 小型封裝和54引腳微小外形封裝 (TSOPII)。 

特性

讀取/寫入周期時間：35ns

真正無限次擦除使用

業內最長的壽命和數據保存時間----超過20年的非揮發特性

可取代多種存儲器----集閃存、SRAM、EEPROM以及BBSRAM的功能于一身

采用MRAM取代電池供電的SRAM方案，解決了電池組裝、可靠性以及責任方面的問題

掉電數據自動保護

具備商業級、工業級、擴展級和汽車級的可選溫度范圍

符合RoHS、兼容SRAM 的TSOPII封裝

符合RoHS、兼容SRAM 的BGA封裝（板面積縮小了3倍）

16位并行總線接口MRAM

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
16Mb	1Mx16	MR4A16BYS35	54-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	1Mx16	MR4A16BCYS35	54-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
16Mb	1Mx16	MR4A16BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	1Mx16	MR4A16BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

本文關鍵詞：并行MRAM

 

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