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    Everspin 16位并口并行MRAM存儲芯片MR4A16BCMA35

    2018-05-21 11:33:18


    Everspin MR4A16BCMA35 16Mb并行MRAM具有兼容SRAM的35ns讀/寫周期,并擁有出色耐久性。Everspin MR4A16BCMA35為1024字 x16位的16,777,216位磁阻隨機存取存儲器 (MRAM)。 
    Everspin MR4A16BCMA35由1,048,576字 x 16位構成。對于這款并行MRAM來說,數據保持期長達20年以上而不會丟失,并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護,以防止在非工作電壓期間寫入。并行MRAM是大多數手機 、 移動設備、膝上機、PC等數字產品的存儲器的潛在替代產品。從MRAM芯片技術的特性上來看,可以預計它將能解決包括計算機或手機啟動慢、數據丟失、數據裝載緩慢、電池壽命短等問題,明顯改變消費者使用電子沒備的方式。
     
    并行MRAM特性
     
    +3.3V電源
    35 ns快速讀/寫周期
    SRAM兼容時序
    出色的耐讀/寫能力
    在工作溫度范圍內數據保持期長達20年以上而不會丟失
    符合RoHS標準的小外形BGA和TSOP封裝
     
    并行mram優勢
     
    一個存儲器即可替代系統中的閃存、SRAM、EEPROM和BBSRAM,獲得更簡單、高效的設計
    替代電池供電的SRAM,提高可靠性


    本文關鍵詞:并行MRAM
     
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