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    各大廠商爭相量產3D NAND

    2018-06-01 14:55:51

    三星計劃在今年提升64層3D NAND產品的比重,并計劃在年內在華城、平澤的工廠搶先量產96層3D NAND產品,甚至還計劃搶先競爭對手,開始投入128層3D NAND的研發量產工作。
     
    三星的這一系列舉動也許將徹底使NAND Flash高層堆疊市場戰爭爆發,美、日、韓等多國的內存大廠都將參戰,市場競爭的激烈程度簡直無法想象。
     
    美光推進64層3D NAND進程非常順利,東芝、西部數據也從2017下半年開始量產64層3D NAND。與此同時,為了降低NAND Flash生產成本,提升產品的競爭力,美、日、韓等多國的內存大廠近期都在加速更高層堆疊以及QLC四比特單元存儲產品的開發。
     
    全球NAND Flash第二大廠東芝已于2017年6月與西數同時宣布,采用BiCS4技術的96層3D NAND已完成研發。現在,隨著東芝半導體事業出售案落下實錘,業內普遍認為,未來東芝將會在NAND Flash突飛猛進。
     
    而美光與英特爾合作開發的NAND Flash產品,也在最近傳出了96層3D NAND研發順利的消息。
     
    至于SK海力士,2017年7月,就已經開始大規模生產72層(第四代)3D NAND閃存芯片。雖然目前SK海力士在NAND Flash領域排名落后,但是SK海力士也決定在2018年完成96層3D NAND產品研發。


    本文關鍵詞:3D NAND閃存

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