Everspin科技公司并行MRAM芯片MR0A16AVYS35
2018-06-07 14:52:15
全球領(lǐng)先的離散和嵌入式磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器開(kāi)發(fā)商和制造商Everspin科技公司(MRAM)，Everspin Technologies是一家開(kāi)發(fā)和制造磁性RAM或磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）的公共半導(dǎo)體公司，其中包括獨(dú)立和嵌入式MRAM產(chǎn)品以及自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）。MRAM具有與標(biāo)準(zhǔn)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）類似的性能特征，同時(shí)還具有非易失性存儲(chǔ)器的持久性，這意味著如果從系統(tǒng)中移除電源，其不會(huì)丟失其電荷或數(shù)據(jù)。這一特性使MRAM適用于大量嵌入式應(yīng)用，如需要性能和持久性的汽車和工業(yè)應(yīng)用。
Everspin生產(chǎn)的并行MRAM 1Mbit產(chǎn)品型號(hào)為MR0A16AVYS35容量：1Mb，擁有35ns的讀/寫(xiě)周期（無(wú)寫(xiě)入延遲），數(shù)據(jù)保持期長(zhǎng)達(dá)20年以上而不會(huì)丟失，并會(huì)在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動(dòng)提供保護(hù)，以防止在非工作電壓期間寫(xiě)入。用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案，并消除了組裝電池以及可靠性問(wèn)題和不利因素，Everspin Technologies提供MR0A16AVYS35，產(chǎn)品應(yīng)用于工業(yè)，汽車，運(yùn)輸和企業(yè)存儲(chǔ)市場(chǎng)。
產(chǎn)品型號(hào)如下：
|
Density
|
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AVYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0 ℃to +70℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AVMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40 to +105C |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BCYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0D08BMA45 |
48-BGA |
3.3VDD, 1.8IO |
0℃ to +70℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0DL08BMA45 |
48-BGA |
2.7VDD min, 1.8IO |
0℃ to +70℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BCMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
本文關(guān)鍵詞：
Everspin
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