存儲芯片NAND Flash封裝EMI遮蔽技術未來如何走下去

      2012年9月份蘋果(Apple)推出的iPhone 5開始，就提出要使用有防電磁波干擾遮蔽技術的NAND Flash封裝用于iPhone手機，在技術上三星未能滿足蘋果這個要求，之后蘋果未使用三星的NAND Flash存儲芯片 ，也使三星在這項技術上開始快馬加鞭投入研發(fā)，
SK海力士(SK Hynix)正在評估噴霧式電磁波干擾(Electromagnetic Interference；EMI)遮蔽(Shielding)技術量產(chǎn)可能性，預計會接手過去委外進行的EMI遮蔽工藝，開展研發(fā)噴霧式的EMI遮蔽技術，期望達到降低生產(chǎn)成本及提高產(chǎn)量的雙重目標。三星電子(Samsung Electronics)也在對EMI遮蔽工藝研發(fā)也孜孜不倦的進行中，但應該是遇到了些問題還待解決
據(jù)報導，目前三星電子正與PROTEC、諾信(Nordon Asymtek)、韓松化學(Hansol Chemical)、Ntrium等多家點膠機(Dispense)業(yè)者，共同研發(fā)以噴涂(Spray)方式進行EMI遮蔽制程。其中，PROTEC與諾信負責研發(fā)設備;韓松化學與Ntrium負責研發(fā)液態(tài)遮蔽材料。研發(fā)完成后，三星電子就可在NAND Flash封裝覆蓋一層EMI遮蔽膜，并且對蘋果iPhone供貨。三星電子計劃在2017年達成這項目標。三星跟賽普拉斯及ISSI等也有在做SRAM存儲芯片，不過三星SRAM存儲這一塊在2006年已經(jīng)授權給品牌NETSOL,由Netsol研發(fā)及生產(chǎn)，并獲得不亞于三星的市場評價。

                                                        
 
 
目前存在的問題發(fā)現(xiàn)銀與CNT仍無法均勻混和，不能做為噴霧使用，預計無法用于商業(yè)化，導致自主研發(fā)噴霧方式的計劃擱置
 
半導體芯片SRAM存儲等一直以屏蔽罩方式阻斷EMI，近年來隨著半導體芯片性能技術提高，逐漸走向個別芯片均需EMI遮蔽處理，因此可預防芯片間電磁干擾引發(fā)的異常動作，電路板在設計上更加精密，芯片間距縮小后多出來的空間，可用于擴充電池容量，延長待機時間，然而增加新工藝必將增加主要芯片生產(chǎn)成本。
 
所謂的濺鍍式和噴霧式到底是什么東西， LGA是指在封裝的底部有針腳的樣式，在裝配PCB線路板時，針腳與電路板的插孔緊緊貼合，所以EMI遮蔽工藝只需在上半部進行完成。蘋果iPhone手機的NAND Flash封裝是采LGA(Land Grid Array)。而EMI遮蔽多采濺鍍(Sputtering)方式，將超薄金屬遮蔽材料覆蓋表面。濺鍍機利用物理方式將材料在目標表面選擇性蒸鍍1層均勻薄膜，但處理速度不快，
 

                                                       

在三星電子看來，按趨勢未來NAND Flash采用BGA(Ball Grid Array)形式封裝，底部是呈現(xiàn)球體 (Ball)，若以濺鍍方式進行EMI技術進行遮蔽，會產(chǎn)生較多空隙不夠完整的包裹，而以噴霧式(Spray)工藝進行EMI遮蔽，則可以將BGA的球體完全包裹。噴涂設備在價格上比濺鍍機便宜。一組濺鍍機的設備若要50億韓元(約438.20萬美元)，噴涂設備只需7~8億韓元即可購得。再加上用于噴涂的材料價格相對便宜，可節(jié)省制程費用。在市面上由于內存大量的供給，業(yè)界基本上考慮采用噴霧式EMI遮蔽技術。
 
目前噴霧式EMI遮蔽是臺灣日月光集團持有的核心專利，這也是三星電子、SK海力士考慮自行研發(fā)噴霧式EMI遮蔽技術的主要原因。

 

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