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    長(zhǎng)江存儲(chǔ)年底量產(chǎn)64層3D NAND,恐沖擊明年報(bào)價(jià)

    2019-05-14 16:45:59

    由于中美貿(mào)易摩擦影響,中國大陸兩大DRAM廠發(fā)展腳步已明顯放緩,根據(jù)TrendForce記憶體儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)研究指出,作為NAND Flash發(fā)展主力的長(zhǎng)江存儲(chǔ)今(2019)年底前將依照進(jìn)程正式量產(chǎn)64層Xtacking 3D NAND產(chǎn)品,隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)明(2020)年產(chǎn)能逐步擴(kuò)大,預(yù)計(jì)將對(duì)全球NAND Flash市場(chǎng)供給與價(jià)格帶來沖擊。

    TrendForce指出,長(zhǎng)江存儲(chǔ)已于第一季送交樣品給部分客戶及控制器廠商,初期著重國內(nèi)市場(chǎng)銷售;并且已完成武漢廠的建設(shè),并有限度的投產(chǎn)32層產(chǎn)品,待64層正式量產(chǎn)后產(chǎn)能擴(kuò)張將轉(zhuǎn)趨積極。2020年后產(chǎn)能規(guī)劃將逐步放大,到該年底擴(kuò)張達(dá)至少60K/m的投片量,盡管相對(duì)其他競(jìng)爭(zhēng)者動(dòng)輒200K/m以上的產(chǎn)能并不算大,預(yù)估仍會(huì)對(duì)NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格產(chǎn)生一定沖擊,導(dǎo)致跌價(jià)趨勢(shì)持續(xù)。 TrendForce分析認(rèn)為,中國新開產(chǎn)能以達(dá)成自給的目標(biāo)相當(dāng)明確,而其他國際廠商亦各自有新廠得以因應(yīng)2020年后的競(jìng)爭(zhēng),包含三星的西安二期、東芝的巖手縣新廠、美光的新加坡三廠、SK Hynix M15廠的剩馀空間加上后續(xù)的M16廠房等,在各廠產(chǎn)能提升后,價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)恐將更為激烈。

    為縮短與一線廠1-2年的技術(shù)差距,長(zhǎng)江存儲(chǔ)明年直攻128層產(chǎn)品。TrendForce指出,以主要六大供應(yīng)商的發(fā)展?fàn)顩r來看,目前主流出貨多在64/72層產(chǎn)品,并已量產(chǎn)92/96層的產(chǎn)品,目前正提供客戶UFS、SSD等產(chǎn)品樣品進(jìn)行導(dǎo)入,然而新制程的擴(kuò)產(chǎn)受到今年市況影響,供應(yīng)商自去年年底以來逐步調(diào)降資本支出并減緩擴(kuò)產(chǎn)時(shí)程,甚至有部分供應(yīng)商決定減產(chǎn),導(dǎo)致新制程比重成長(zhǎng)較為緩慢。 反觀長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展規(guī)劃,在推出64層產(chǎn)品后,相較于其他供應(yīng)商先發(fā)展9x層的步調(diào),長(zhǎng)江存儲(chǔ)將直攻128層以縮減與其他供應(yīng)商的差距,主要供應(yīng)商則規(guī)劃在2020年量產(chǎn)128層產(chǎn)品。盡管長(zhǎng)江存儲(chǔ)在技術(shù)發(fā)展上仍與主要供應(yīng)商有相當(dāng)差距,但未來對(duì)市場(chǎng)的影響恐怕勢(shì)難抵擋。

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