EVERSPIN非易失性存儲(chǔ)器視為極具吸引力的嵌入式技術(shù)

相關(guān)研究指出，如果以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM，可節(jié)省高達(dá)90%的功耗；如果采用單一晶體管MRAM取代六個(gè)晶體管SRAM，則可實(shí)現(xiàn)更高的位元密度和更小的芯片尺寸，這些功率與面積成本優(yōu)勢(shì)將使MRAM成為邊緣側(cè)設(shè)備的有力競(jìng)爭(zhēng)者。而相較于傳統(tǒng)的NAND閃存，PCRAM或ReRAM存儲(chǔ)級(jí)存儲(chǔ)器更可提供超過(guò)10倍以上的存取速度，更適合在云端對(duì)資料進(jìn)行存儲(chǔ)。 MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，從20世紀(jì)90年代開(kāi)始發(fā)展。該技術(shù)具備接近靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的高速讀取寫(xiě)入能力，快閃存儲(chǔ)器的非易失性、容量密度和與DRAM幾乎相同的使用壽命，但平均能耗卻遠(yuǎn)低于DRAM，而且可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
 

MRAM技術(shù)之所以受到業(yè)界追捧，原因在于隨著業(yè)界持續(xù)向更小技術(shù)節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)，DRAM和NAND閃存(Flash)正面對(duì)著嚴(yán)苛的微縮挑戰(zhàn)，MRAM因此被視為有望取代這些內(nèi)存芯片的獨(dú)立內(nèi)存組件。考慮到MRAM具備快速讀/寫(xiě)時(shí)間、高耐受度以及強(qiáng)勁的保留能力，也被視為極具吸引力的嵌入式技術(shù)，適用于取代物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備中的嵌入式閃存和3級(jí)高速緩存SRAM。
 
它不是用來(lái)替代閃存的，而是用來(lái)處理運(yùn)算過(guò)程中產(chǎn)生的數(shù)據(jù)。MRAM具有高速讀寫(xiě)能力，同時(shí)也能永久地保存數(shù)據(jù)，所以它屬于RAM，又能兼顧非易失性。

本文關(guān)鍵詞： MRAM 

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