三星實現量產10納米8GB DDR4內存
2017-02-14 14:04:44
英特爾曾經信誓旦旦地說到，摩爾定律已死。三星用實際行動證明，摩爾定律對DRAM產業仍然有效。
近年來，關于摩爾定律的死亡傳言被越傳越大。近日，三星電子發布業界第一款10納米8Gb DDR4 DRAM芯片顆粒。同時韓國廠商宣布，他們已經領先于SK海力士和美光實現10nm DDR4芯片的量產。
在新聞發布會上三星表示，新的DRAM支持3200Mbps數據傳輸頻率，相對20nm工藝的DDR4 DRAM顆粒效能提升約20%，同時，其功耗降低10%至20%，高效低耗的特性適用于新一代HPC（ 高效能運算 ） 、主流電腦、大型企業網絡以及服務器市場。
三星在上一年發布了用于固態硬盤和其他存儲芯片的10nm NAND閃存，但將DRAM減小到如此小的尺寸會更加困難。這是因為內存的不穩定性需要電容器跟隨著晶體管存在，也就是所有這些元件都需要進行縮小。此外，三星還必須“在幾十納米寬的晶體管上堆疊極窄的圓柱形電容器以存儲大電荷，從而創造超過80億個單元”。這樣一來，制作難度又被提高了好幾倍。
三星聲稱，他們利用現有氟化氬浸沒式光刻技術所以無需額外使用極紫外設備，就可以解決DRAM擴展的問題。有專業分析師認為，三星改進了自己的四重圖形技術，用光刻曝光來增加芯片功能的分辨率，該技術廣泛的應用于NAND閃存的制作上。并指出，摩爾定律的延續意味著我們將繼續得到更低價的DRAM。
三星將于今年研發生產SIMM模塊，容量從4GB的筆記本電腦到最高128GB企業級服務器不等，同時延長其20納米DRAM陣容與新的DRAM產品組合貫穿全年。在未來三星將推出10nm高密度超一流的移動DRAM產品，以解決超高清智能手機市場。
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