新型存儲器以工業級規模生產

半導體設備頭龍大廠應用材料推出新的制造系統，能夠以原子級的精準度，進行新式材料的沉積，而這些新材料是生產前述新型存儲器的關鍵。應用材料推出最先進的系統，讓這些新型存儲器能以工業級的規模穩定生產。
 
臺積電近年來積極推動將嵌入式快閃存儲器（eFlash）制程改成MRAM及ReRAM等新型存儲器嵌入式制程，與應用材料有很深的合作關系。聯電也有布局ReRAM，旺宏與IBM合作PCRAM多年且技術追上國際大廠。再者，群聯宣布采用MRAM在其NAND控制IC中。
 
MRAM采用硬盤機中常見的精致磁性材料。MRAM本來就是快速且非揮發性，就算在失去電力的情況下，也能保存軟件和資料。由于速度快與元件容忍度高，MRAM最終可能做為第三級快取存儲器中SRAM（靜態隨機存取存儲器）的替代產品。MRAM可以整合于物聯網芯片設計的后端互連層，進而實現更小的晶粒尺寸，并降低成本。

 
ReRAM采用新材料制成，材料的作用類似于保險絲，可在數十億個儲存單元內選擇性地形成燈絲，以表示資料。對照之下，PCRAM則采用DVD光盤片中可找到的相變材料，并藉由將材料的狀態從非晶態變成晶態，以進行位元的編程。
 
隨著資料量產生呈現指數性遽增，云端資料中心也需要針對連結服務器和儲存系統的資料路徑，達成這些路徑在速度與耗電量方面的數量級效能提升。ReRAM與PCRAM是快速、非揮發性、低功率的高密度存儲器，可以做為“儲存級存儲器”，以填補服務器DRAM與儲存存儲器之間，不斷擴大的價格與性能落差。
 
類似于3D NAND flash存儲器型式，ReRAM和PCRAM是以3D結構排列，而存儲器制造商可以在每一代的產品中加入更多層，以穩健地降低儲存成本。
 
隨著人工智能的深度學習及機器學習、高效能運算、物聯網裝置的普及，巨量資料組成密集且復雜，除了在處理器上提供運算效能，也需要創新的存儲器技術方能有效率處理資料。包括MRAM、ReRAM、PCRAM等新型存儲器，開始被市場采用，而AI/HPC將加速新型存儲器更快進入市場。


本文關鍵詞：MRAM    

相關文章：各大原廠看好MRAM發展

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。