基于MRAM和NVMe的未來云存儲解決方案

在2019全球閃存峰會上，Everspin作為全球MRAM存儲芯片龍頭分享如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構建未來的云存儲的解決方案。

首先STT-MRAM作為異常掉電數據緩存的介質有以下幾大優勢：

1.   非易失性存儲器芯片，比傳統的SRAM或者DRAM在數據保持方面更強；
2.   芯片容量較大，單顆芯片容量高達1Gb；
3.   采用DDR4接口，帶寬可以到2.7GB/s，超強性能；
4.   擦寫次數幾十億次！生命周期；
5.   超低延遲；
6.   數據保存期很久：85度高溫下數據可以保存10年以上；
7.   數據錯誤率低；
8.   可靠性強。
 
MRAM可應用在NVMe SSD的下列場景，PCIe SSD、NVMe-oF、全閃存陣列：
     
MRAM為NVMe SSD，尤其是QLC做緩存有以下優勢：
   
采用MRAM之后，NVMe SSD內部的架構發生了以下圖片的變化，將MRAM作為數據緩存使用，而FTL映射表存儲依然是DRAM：
     
數據中心采用NVMe-oF有以下四大優勢：
1.   實現低于1微秒的數據傳輸，跳過內核、跳過主機CPU和內存、可以P2P傳輸；
2.   把CPU計算任務分攤到專用計算芯片或者存儲控制器；
3.   讀寫帶寬更高；
4.   服務器可以更簡單、省電，不用昂貴的X86 CPU，用ARM CPU就夠了。
 
以下圖片是傳統的NVMe-oF的數據流，要通過系統內存和CPU再進入NVMe SSD，這樣會導致讀寫延遲比較長。
   
如果采用了MRAM作為智能網卡上的緩存，數據就直接通過P2P傳輸給NVMe SSD，并跳過了系統內存和CPU，大大縮短讀寫延遲，也大幅提升性能。
     
在全閃存陣列的存儲控制器中，MRAM可以作為緩存加速，并提升產品性能及可靠性，同時可以不需要額外的電池或者電容。
   
未來的數據中心存儲長這樣？
 
未來以NVMe SSD和NVMe-oF為基礎的云存儲硬件架構如下圖，其中MRAM可以用在網卡緩存、NVDIMM、全閃存陣列加速和NVMe SSD內部。
   
Everspin公司專業設計制造嵌入式MRAM和自旋傳遞扭矩STT-MRAM的領導者，其市場和應用領域涉及數據持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。在數據中心，云存儲，能源，工業，汽車和運輸市場中提供了超過1.2億個MRAM和STT-RAM產品，為MRAM用戶奠定了強大，增長快的基礎。Everspin MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車，工業，軍事和太空應用。Everspin代理英尚微電子提供完善的產品解決方案及技術方面支持和指導.


本文關鍵詞：MRAM  

相關文章：可編程邏輯控制器專用MRAM--MR0A16A

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。