CYPRESS代理鐵電存儲器中文資料FM25V05-GTR

賽普拉斯FM25V05-GTR是一款非易失性鐵電存儲器，采用先進鐵電工藝的512Kb非易失性存儲器。主要提供了151年的可靠數據保留，同時消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性，開銷和系統級可靠性問題。并且執行類似于RAM的讀取和寫入操作。
 
FM25V05-GTR是串行FRAM存儲器。邏輯上將存儲器陣列組織為65,536×8位，并使用行業標準的串行外圍設備接口（SPI）總線對其進行訪問。FRAM的功能操作類似于串行閃存和串行EEPROM。FM25V05-GTR與具有相同引腳排列的串行閃存或EEPROM之間的主要區別在于FRAM的優異寫入性能，高耐用性和低功耗。CYPRESS代理英尚微可提供產品相關技術支持服務。
 
與串行閃存和EEPROM不同，FM25V05-GTR以總線速度執行寫操作。沒有寫入延遲。每個字節成功傳輸到設備后，立即將數據寫入存儲器陣列。下一個總線周期可以開始而無需數據輪詢。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產品具有顯著的寫入耐久性。FM25V05-GTR能夠支持1014個讀/寫周期，或比EEPROM多1億倍的寫周期。
 
這些功能使FM25V05-GTR非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應用。例子包括數據收集（可能是關鍵的寫周期數）到要求苛刻的工業控制，在這些情況下，串行閃存或EEPROM的長寫入時間可能會導致數據丟失。
 
FM25V05-GTR作為串行EEPROM或閃存的用戶，可作為硬件的替代品而獲得實質性好處。FM25V05-GTR使用高速SPI總線，從而增強了FRAM技術的高速寫入能力。該設備包含一個只讀的設備ID，該ID允許主機確定制造商，產品密度和產品版本。在–40℃至+85℃的工業溫度范圍內保證器件的規格。
   
記憶體架構
訪問FM25V05-GTR時，用戶對每個8個數據位的64K地址進行尋址。這八個數據位被串行移入或移出。使用SPI協議訪問地址，該協議包括一個芯片選擇（允許總線上有多個設備），一個操作碼和一個2字節地址。16位的完整地址唯一地指定每個字節地址。
 
FM25V05-GTR的大多數功能要么由SPI接口控制，要么由板載電路處理。存儲器操作的訪問時間基本上為零，超出了串行協議所需的時間。也就是說，以SPI總線的速度讀取或寫入存儲器。與串行閃存或EEPROM不同，由于以總線速度進行寫操作，因此無需輪詢設備是否處于就緒狀態。到可以將新的總線事務轉移到設備中時，寫操作就完成了。界面部分將對此進行詳細說明。
 
串行外設接口–SPI總線
FM25V05-GTR是SPI從設備，運行速度高達40MHz。該高速串行總線提供了與SPI主設備的高性能串行通信。許多常見的微控制器都具有允許直接接口的硬件SPI端口。對于不帶微控制器的微控制器，使用普通端口引腳來仿真端口非常簡單。FM25V05-GTR在SPI模式0和3下運行。
 
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本文關鍵詞： 鐵電存儲器

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