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    為你的智能座駕選擇適宜的存儲(chǔ)器

    2021-07-28 10:20:56

    從人工駕駛到輔助駕駛再到全自動(dòng)駕駛,社會(huì)正在將人為操縱的一切轉(zhuǎn)向電子控制。尤其是近兩年,L3甚至以上的汽車(chē)越來(lái)越多,自動(dòng)駕駛和現(xiàn)實(shí)的距離就差“一小步”。
     
    簡(jiǎn)單解釋一下什么是L0、L1、L2、L3、L4、L5級(jí)別:針對(duì)自動(dòng)駕駛的等級(jí)劃分,目前主要有兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn),一是美國(guó)交通部下屬的NHSTA(國(guó)家高速路安全管理局)制定的,另外則是SAE International(國(guó)際汽車(chē)工程師協(xié)會(huì))所制定的。通常來(lái)說(shuō),大家還是使用SAE進(jìn)行區(qū)分。
     
    縱觀整個(gè)市場(chǎng),現(xiàn)在的汽車(chē)究竟搭載了多少?gòu)?fù)雜的功能?自動(dòng)泊車(chē)、碰撞警告、主動(dòng)剎車(chē)、ACC自適應(yīng)巡航、VSA車(chē)聯(lián)網(wǎng)檢查、ISA電子警察系統(tǒng)、TMC實(shí)時(shí)交通系統(tǒng)、360環(huán)視、并線(xiàn)輔助、LDWS車(chē)道偏移警告系統(tǒng)、HMW車(chē)距檢測(cè)及警告、FCWS前車(chē)防撞預(yù)警系統(tǒng)、PED行人檢測(cè)、車(chē)道保持系統(tǒng)……

     
    對(duì)于智能汽車(chē)最為重要的是什么?是毫無(wú)延遲的快速反應(yīng),是毫厘之間的秒開(kāi)體驗(yàn),是無(wú)縫對(duì)接的交互。數(shù)據(jù)量膨脹之下,除了算力,數(shù)據(jù)本身所在的存儲(chǔ)載體是影響這些的首要因素。
     
    問(wèn)題來(lái)了,你知道怎么選擇內(nèi)存嗎?下面存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商英尚國(guó)際有限公司為大家介紹一下一些用于汽車(chē)應(yīng)用中的存儲(chǔ)芯片。
     
    MRAM
    MRAM涉及汽車(chē)應(yīng)用。對(duì)于碰撞記錄器,MRAM可以在事故發(fā)生時(shí)收集和存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù),并幫助確定車(chē)輛事故或故障的原因。
     
    使用傳感器的汽車(chē)應(yīng)用可以受益于MRAM。由于傳感器連續(xù)地寫(xiě)入數(shù)據(jù),因此閃存難以保持這種數(shù)據(jù)流。新的安全氣囊系統(tǒng)還具有傳感器,用于檢測(cè)和記錄乘客的體重,與車(chē)輛上其他安全裝置的相互作用以及碰撞的影響。
     
    其他汽車(chē)系統(tǒng),例如里程表,輪胎氣壓記錄儀和ABS,需要頻繁地對(duì)內(nèi)存進(jìn)行寫(xiě)操作,而這些寫(xiě)操作很容易超過(guò)閃存的寫(xiě)擦除功能,并且會(huì)耗盡其內(nèi)存。MRAM具有無(wú)限的寫(xiě)循環(huán)能力,可確保為安全氣囊和ABS等關(guān)鍵任務(wù)設(shè)備提供更可靠的系統(tǒng)。
     
    FRAM
    VCU系統(tǒng)需要以每秒一次的速度記錄汽車(chē)行駛的當(dāng)前狀態(tài)以及出現(xiàn)故障時(shí)的變速器擋位、加速情況、剎車(chē)和輸出扭矩等信息,采用FRAM技術(shù)可以通過(guò)較簡(jiǎn)單的軟件進(jìn)行存儲(chǔ)和讀取,同時(shí)保證了高速可靠。例如富士通汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品MB85RS2MLY,其讀寫(xiě)次數(shù)可達(dá)10兆次,范圍為-40°C至+125°C,非常適合于需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用(例如,連續(xù)10年每天記錄0.1秒的數(shù)據(jù),則寫(xiě)入次數(shù)將超過(guò)30億次),具有極高的數(shù)據(jù)寫(xiě)入穩(wěn)定性和可靠性。
     
    對(duì)于BMS(電池管理系統(tǒng))這一新能源汽車(chē)的另一大核心技術(shù)來(lái)說(shuō),這些特性同樣重要。電池管理系統(tǒng)需要實(shí)時(shí)記錄和存儲(chǔ)數(shù)據(jù),其系統(tǒng)將以每秒或每0.1秒的頻率實(shí)時(shí)和連續(xù)地記錄電池的重要數(shù)據(jù)(故障信息、健康狀況SOH和電量計(jì)量SOC等),同時(shí)監(jiān)測(cè)電池的短期(最后幾個(gè)充電周期為60次/秒)和長(zhǎng)期(電池的整個(gè)壽命)性能。舉例來(lái)說(shuō)一般情況下電池組的電量保持在30%~75%表示運(yùn)行正常,如果有不平衡的情況需要從其他電池組補(bǔ)充,此時(shí)系統(tǒng)需要檢測(cè)記錄電池組的電量、溫度、電壓、電流等數(shù)據(jù),并且一次監(jiān)測(cè)記錄的時(shí)間不宜過(guò)長(zhǎng)。


    本文關(guān)鍵詞:存儲(chǔ)器 FRAM MRAM  


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