使用非易失性FRAM替換SRAM時的問題和解決方案

       FRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點。
 
       富士通并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。保證寫入壽命超過10萬億次，運行速度與SRAM相同，TSOP封裝與SRAM兼容。MB85R8M2TA具有與SRAM兼容的并行接口，可在1.8V至3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)運行。
 
       在快速頁面模式下，F(xiàn)RAM能夠運行到25ns，在連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸時，其訪問速度與SRAM一樣高。與富士通的傳統(tǒng)FRAM產(chǎn)品相比，它不僅實現(xiàn)了更高的運行速度，而且降低了功耗。該FRAM的最大寫入電流為18mA，比目前的產(chǎn)品低10%，最大待機電流為150µA，低50%。
 
       在某些情況下可以省去SRAM所需的數(shù)據(jù)備份電池。富士通的FRAM產(chǎn)品可以解決因用非易失性存儲器取代SRAM而產(chǎn)生的以下問題：
 
       問題：更改接口設(shè)計和PCB設(shè)計的額外工作
       解決方案：使用與SRAM接口和SRAM封裝兼容的FRAM
 
       問題：難以用寫入速度非常慢的非易失性存儲器替代
       解決方案：使用具有快速寫入操作的FRAM，頁面模式下最大25ns
 
       問題：寫入壽命高達(dá)10萬億次導(dǎo)致設(shè)計限制
       解決方案：使用寫入壽命高達(dá)100萬億次的FRAM

本文關(guān)鍵詞：FRAM,SRAM,富士通

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