瑞薩成功開發(fā)22nm MRAM用于替換MCU中的閃存？

瑞薩電子已開發(fā)出用于嵌入式自旋轉移矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)的電路技術，該芯片具有快速讀寫操作，采用22納米工藝制造。芯片包括一個32兆位(Mbit)嵌入式MRAM存儲單元陣列，可在150℃的最高結溫下實現5.9納秒(ns)的隨機讀取訪問，以及5.8兆字節(jié)/秒的寫入吞吐量（MB/秒）。
 
隨著物聯網和人工智能技術的不斷進步，端點設備中使用的微控制器單元(MCU)有望提供比以往更高的性能，因此需要用更精細的工藝節(jié)點制造。與在FEOL中制造的閃存相比，采用BEOL制造的MRAM對于亞22nm工藝具有優(yōu)勢，因為它與現有的CMOS邏輯工藝技術兼容，并且需要更少的額外掩模層。但是，MRAM的讀取余量比閃存小，這會降低讀取速度。CPU工作頻率與非易失性存儲器的讀取頻率之間的較大差距也是一個挑戰(zhàn)，因為它會降低MCU性能。
 
MRAM還可以實現比閃存更短的寫入時間，因為它在寫入操作之前不需要擦除操作。但是需要進一步提高速度，以縮短端點設備所需的無線(OTA)更新的系統(tǒng)停機時間，并降低最終產品制造商為MCU編寫控制代碼的成本。
 
為了應對這些挑戰(zhàn)并響應市場對更高32位MCU性能的需求，瑞薩電子開發(fā)了以下新電路技術，以在MRAM中實現更快的讀寫操作。


本文關鍵詞：32位MCU,MRAM

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