新型存儲器的技術趨勢與挑戰(zhàn)

STT-MRAM當前的發(fā)展似乎很不錯，參與這項技術研發(fā)的企業(yè)和機構當前已經(jīng)囊括了Everspin、GlobalFoundries、Avalanche、索尼、美光、Imec、CEA-LETI、美國應用材料、三星、富士通、IBM、臺積電、Spin Transfer Technologies等。
 
新型存儲器主要包含了MRAM（STT-MRAM）、XPoint、ReRAM、FeRAM、PCRAM/Xpoint等。某些新型存儲器介質和材料本身也有更多元的應用，比如說ReRAM可能會成為存內(nèi)計算的未來，MRAM可用作CPU的die內(nèi)cache，XPoint應用于SCM存儲級內(nèi)存等。
 
Ambiq公司的Apollo Blue系列MCU在臺積電22ULL工藝的支持下攜有eMRAM。而GlobalFoundries基于22nm FDSOI的eMRAM，應用在了GreenWave的AI處理器上。以及材料和工藝技術上各家的一些差異，
 
Avalanche MRAM還在用舊的多晶硅柵和L型spacer間隔層，Everspin則往high-k柵極介電層（gate dielectrics）加入了鑭；三星和臺積電的MRAM柵極結構有gate-first HKMG和gate-last HKMG工藝之分等等。
 
其他新型存儲器技術方面，富士通的8Mb ReRAM是全球密度最高、單獨量產(chǎn)的ReRAM產(chǎn)品；基于45nm CMOS工藝，相比此前舊工藝的4Mb ReRAM產(chǎn)品有了相當大的存儲密度提升和die size的縮減。XPoint技術的知名市場參與者自然就是Intel了，第二代XPoint存儲器已經(jīng)應用到了市場上，4堆棧的PCM/OTS層結構。
 
新型存儲器件發(fā)展的基礎就在于更出色的性能或效率——性能除了速度之外也包括數(shù)據(jù)保持時間、壽命之類的指標。只不過“新型”未大規(guī)模普及的原因無非在于成本還沒能像傳統(tǒng)器件那樣降下來，尤其新型材料造成工藝兼容性方面的一些挑戰(zhàn)。3D NAND顯然在單位成本內(nèi)的容量方面仍然有著優(yōu)勢。


本文關鍵詞：STT-MRAM,MRAM,FeRAM

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