企業(yè)SSD中everspin的DDR3 STT-MRAM

隨著企業(yè)固態(tài)驅(qū)動(dòng)器（SSD）在系統(tǒng)性能和更小的外形尺寸方面不斷前進(jìn)，SSD解決方案提供商面臨著更大的挑戰(zhàn)。在提高密度及耐用性，性能和添加重要的新功能的同時(shí)，還需要繼續(xù)保護(hù)飛行中的數(shù)據(jù)免受電源故障的影響。

通過使用更多具有更快接口速度的閃存通道和更高密度的閃存設(shè)備，下一代SSD將迅速增長(zhǎng)到32TB甚至更高。如果采用具有DRAM工作存儲(chǔ)器的控制器的傳統(tǒng)體系結(jié)構(gòu)，這將大大增加對(duì)能量存儲(chǔ)以提供電源故障保護(hù)的需求，從而以固定的形式減少存儲(chǔ)陣列的可用空間。這些下一代設(shè)備還將需要新功能，包括高級(jí)CMB緩沖，在線加密，重復(fù)數(shù)據(jù)刪除和壓縮。

使用everspin自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（STT-MRAM）和DRAM上的DRAM的SSD架構(gòu)優(yōu)勢(shì)。

SSD控制器的DDR總線，并使用STT-MRAM替代DRAM來提供高速，非易失性緩存。這些應(yīng)用程序使設(shè)計(jì)能夠：
•減少閃存陣列中的寫放大
•提高性能并減少延遲
•減少斷電能量存儲(chǔ)，而不會(huì)影響數(shù)據(jù)保護(hù)
•提供高級(jí)的“設(shè)備上”持久CMB緩沖
•為高級(jí)應(yīng)用程序提供非易失性存儲(chǔ)，包括重復(fù)數(shù)據(jù)刪除和壓縮