新型MRAM技術量產實現低功耗

在新型 RAM 技術中，MRAM 對物聯網和邊緣計算設備具有特別有吸引力。因為它能實現比目前這類硬件上的首選存儲類內存 -NAND閃存-低得多的功耗，同時實現非易失性數據存儲。非易失性MRAM 本身訪問速度也相當快，這便意味著不僅可以用它取代這類硬件設備上的閃存，還可以替換掉大部分 SRAM，從而進一步節約成本。

 

和 MRAM 的目標市場不同的是，ReRAM 和 PCRAM 更有可能出現在數據中心服務器中，這兩種器件是存儲級內存的理想選擇。SCM 提供的一種比 NAND 產品快得多并且比 DARM 更加便宜的中間存儲器層。英特爾的3D XPoint Optane Persistent Memory 產品似乎使用某種相變技術，是 PCRAM 技術的早期應用實例。

 

在 MRAM 這個賽道中，三星已于去年的三月份發售了首款 MRAM 產品，還有Everspin該家 MRAM 提供商的產品被 IBM 用作高容量（19TB）SSD 的緩存。EVERSPIN其MRAM產品得到了 Sage 微電子用于企業級 SSD 的閃存控制器的支持。作為全球最大的半導體設備制造商，應用材料公司是許多業界頂級代工廠的主要供應商，應用材料公司為大批量生產 MRAM、PCRAM 和 ReRAM 而設計的新系統，目的是幫助使得基于這些新型技術的器件更加可靠和經濟高效。

 

各種新型應用帶來的數據爆炸導致數據訪問性能和計算性能的失衡不斷增長，從而推動了許多新型隨機存取存儲器（RAM）技術的發展。最近在新型 RAM 技術領域的進展能否開啟新型 ram 市場的騰飛還有待進一步觀察。當然如果應用材料公司制造新 RAM 的系統取得了成功，也就理所當然地意味著市場上將出現更多使用了這些替代性的新型 RAM 器件的設備，同時也可能會出現一些新的存儲器供應商。


本文關鍵詞： MRAM

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